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  •  產品規劃 Products planning


    本著易到難,從簡到繁的開發理念,時代全芯制定了公司在中低密度產品, 高密度產品和神經網絡智能存儲三條產品線的發展策略(如下表1)。

     

    1:時代全芯的未來產品規劃


    產品種類

    2019年

    溥元611(EEPROM)  NOR FLASH

    2020年

    大容量3D PCM高密度相變產品

    2021年

    TCAM

    2022年

    神經網絡存儲

     

    如下是各存儲產品的簡介:

    2: AMT存儲產品簡介

     


    產品種類

    產品簡介

    EEPROM

    ——基于相變材料的2兆位電擦除可編程只讀相變存儲器(EEPROM

    產品概況和性能參數介紹:

    ---采用先進的40納米CMOS工藝制程

    ---芯片尺寸1.96 mm2

    ---數據存儲前無需進行擦除動作

    ---低功耗,工作電壓1.8V-3.6V,靜態工作電流1uA

    ---SPI接口,最大工作頻率30MHz

    ---單頁(256字節)寫入時間小于2.5ms

     

    產品可靠性參數介紹:

    ---產品耐擦寫次數大于10^7

    ---強大的抗輻射性能

    ---25℃環境下數據保存時間可達100

    ---工作溫度-40℃—+85℃

    ---2kV   ESD防靜電保護能力

     

    NOR FLASH

    ——基于相變材料的64兆位NOR FLASH相變存儲器

    ---采用先進的40納米CMOS工藝制程

    ---芯片尺寸13.74 mm2

    ---存儲數據前無需進行擦除動作

    ---工作電壓+1.8V—+3.6V

    ---Standard   SPI、Dual   SPI 、Quad   SPI接口,最大工作頻率133MHz

     

    產品可靠性參數介紹:

    ---產品耐擦寫次數大于10^5

    ---強大的抗輻射性能

    ---25℃環境下數據保存時間20

    ---工作溫度-40℃—+85℃

    ---2kV   ESD防靜電保護能力

    大容量3D PCM高密度相變產品

    通過交叉節點的結構,實現PCM存貯器陣列的高密度集成。交叉節點(cross-point)結構的關鍵技術,選擇器(selector)應用AMT特有的材料和工藝,目前工藝研發已取得階段性成果。后續產品的研發已經展開,預計2020年開始樣品的生產。

    TCAM

    三態內容尋址存儲器 TCAM   (Ternary Content Addressable Memory)是一種新型存儲器,與傳統的存儲器不同,TACM可依據內容對表內所有條目都可以并行訪問,而非依據地址逐條訪問。PCM為基礎的TCAM具有占地面積小,功耗低的優點。在人工智能運算領域具有巨大潛力。

    神經網絡存儲

    基于神經網絡的智能存儲器(Smart Memory),應用PCM技術模擬人腦神經元之間突觸(Synapse)的相互作用,從而可以使存儲器陣列進行某種專項的邏輯運算。由于PCM技術具有非易失性,通過PCM實現的運算,功耗極低。將智能存儲器應用與IoT的傳感器上,可以有效的分擔傳感器對網絡和云計算的負荷,從而進一步拓展物聯網的功能。


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